| 系統(tǒng)配置 | CPU | Huawei EC-Core-L,基于ARM Cortex A9雙核處理器，主頻≥700M |
| 內(nèi)存 | 核心板板載512MB DDR3內(nèi)存 |
| 存儲設(shè)備 | 存儲 | 1G FLASH（核心板板載） |
| I/O接口 | 前置 | 1個千兆RJ45網(wǎng)絡(luò)接口, 1個Console調(diào)試串口, 4個三線RS485串口, 2個三線RS232串口 2個SIM卡槽, 1個LORA天線SMB接口, 1個4G天線SMB接口, 1個支持熱拔插的USB口 |
| 后置 | 3個千兆RJ45網(wǎng)絡(luò)接口, 1個船型開關(guān), 1個5Pin三相載波HPLC口電源接口 1個外殼接地端子, 1個3Pin電源接口 |
| 指示燈 | 前面板指示燈：RUN、ALM、CTL、WAN、PWR、MCU、LTE和電以太網(wǎng)口連接、數(shù)據(jù)燈 后面板指示燈：電以太網(wǎng)口連接、數(shù)據(jù)燈 |
| 電源模塊 | 單電源，輸入范圍 AC85V~265V OR DC40~ 370V；頻率 47~ 63Hz |
| 機箱尺寸 | 含掛耳尺寸: 266.6mm×224mm×44mm 不含掛耳尺寸: 224mm×225.6mm×44mm |
| 凈重 | 4.5Kg（不包含包裝、配件重量） |
| 顏色 | 銀白色 |
| 溫度 | LTE最大發(fā)射功率情況；-25℃～+65℃ LTE典型發(fā)射功率情況：-25℃～+70℃ 存儲溫度：-40℃～+85℃ |
| 濕度 | 5％到95％（非凝結(jié)） |
| 電磁兼 容性 | GB/T 15153.1- 1998 | 裝置應(yīng)能承受規(guī)定的嚴酷等級為Ⅲ的干擾試驗，試驗頻率為1MHz，試驗電壓為共模2500V，差模1000V的衰減振 蕩波干擾試驗 |
| GB/T 15153.1- 1998 GB/T 17626.x | 裝置能承受GB/T15153.1-1998 標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的Ⅳ級(接觸放電8kV)靜電放電干擾試驗 GB/T 17626.3-2006射頻電磁場輻射抗擾度（III）級 GB/T 17626.4-2006沖脈群抗擾度（IV）級 GB/T 17626.5-2008浪涌（沖擊）抗擾度（IV）級 GB/T 17626.6-2017傳導(dǎo)抗擾度（III）級 GB/T 17626.8-2006工頻磁場擾抗擾度（V）級 GB/T 17626.9-1998脈沖磁場抗擾度（V）級 GB/T 17626.10-2017阻尼振蕩磁場抗擾度（IV）級 GB/T 17626.12-1998 振蕩波抗擾度試驗（III/IV）級 |
| 其它干擾 | 裝置通過了符合1000kV工程要求的其它電磁干擾試驗 |
| 安規(guī) | GB/T14598.3- 2006（eqv IEC60255-5） | 介質(zhì)強度：規(guī)定的交流電壓為2.5kV（強電回路）或500V（弱電回路）、頻率為50Hz、歷時1min 的介質(zhì)強度試驗，而無 擊穿和閃絡(luò)現(xiàn)象。 絕緣電阻：用開路電壓為500V的測試儀器測定裝置的絕緣電阻值不小于100MΩ 沖擊電壓：峰值為5kV（強電回路）或1kV（弱電回路）的標(biāo)準(zhǔn)雷電波的沖擊電壓試驗 漏電流：對地漏電流≤3.5mA |
| 機械環(huán)境適應(yīng)性 | 抗振動：裝置能承受GB/T 11287（idt IEC60255-21-1）規(guī)定的I級振動響應(yīng)和振動耐受試驗 抗沖擊：裝置能承受GB/T 14537（idt IEC60255-21-2）規(guī)定的I級沖擊響應(yīng)和沖擊耐受試驗，以及I級碰撞試驗 熱性能(過載能力)：裝置的熱性能（過載能力）符合DL/T478-2001的以下規(guī)定： 電源回路：80％～115％額定電壓，連續(xù)工作。 |
| 可靠性 | 平均無故障工作時間：MTBF≥50000h 平均維修時間：MTTR≤0.5h |
